台积电发布N2 2nm缺点率：比357nm都要好

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快科技4月26日音讯，在近来举行的北美技能论坛上，台积电初次公开了N2 2nm工艺的缺点率(D0)状况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。

台积电没有给出详细数据，仅仅比较了几个工艺缺点率随时刻改变的趋势。

台积电N2初次引入了GAAFET全盘绕晶体管，现在间隔大规划量产还有2个季度，也便是要比及年末。

N2试产近2个月来，缺点率和同期的N5/N4差不多，还略微低一点，一起显着优于N7/N6、N3/N3P。

从试产到量产半年的时刻周期内，N7/N6的归纳缺点率是最高的，N3/N3P从量产开端就低得多了，N5/N4状况更好，从试产开端就显着更低。

N2如果能连续N5/N4的趋势，远景无疑是十分光亮的。

台积电还指出，一种工艺的缺点率能否快速下降，除了取决于自身的规划和技能，也要看制作芯片数量、产能规划，越多越大就越简单发现缺点并改善。

台积电N2已流片的芯片数量就显着更多，也是其可以快速下降缺点率的要害原因。

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标签: 台积 N2 2nm 7nm 缺点

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